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了解更多[导读]2024年7月24日 – 专注在引入新品的全球电子元器件和工业主动化产物授权代办署理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 本日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采取新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽手艺,开启了电力系统和能量转换的新篇章,合用在光伏逆变器、能量贮存系统、电动汽车充电、电源和机电驱动利用。 2024年7月24日 – 专注在引入新品的全球电子元器件和工业主动化产物授权代办署理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 本日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采取新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽手艺,开启了电力系统和能量转换的新篇章,合用在光伏逆变器、能量贮存系统、电动汽车充电、电源和机电驱动利用。 贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合(AC-D江南体育C、DC-DC和DC-AC)中建立高质量标杆,并进一步操纵英飞凌怪异的XT互联手艺来提高半导体芯片的机能和散热能力(例如采取TO-263-7、TO-247-4分立封装的型号)。CoolSiC™ G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和靠得住性的条件下,将MOSFET的要害机能(例如存储能量和电荷)提高了20%,不但晋升了整体能效,还进一步鞭策了低碳化历程。G2的散热能力提高了12%,并将CoolSiC™的SiC机能晋升到了一个新的程度。其快速开关能力可在所有工作模式下将功率消耗下降5%到30%(取决在负载前提),具有超卓的节能结果。 CoolSiC™ G2的新一代SiC手艺可以或许加快设计本钱加倍优化,且加倍紧凑、靠得住、高效的系统,从而节流能源并削减现场每瓦功率的二氧化碳排放量。
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